日本將開設共同研究室 加速研發新一代半導體

中新網11月23日電 據日本媒體報導，本月22日，日本名古屋大學和“物質與材料研究機構”宣佈，為研發用於高效節能電子設備的新一代半導體，將分別在各自的機構開設由2014年獲諾貝爾物理學?的該大學教授天野浩以及該機構理事小出康夫共同運營的研究室。
　　報導稱，共同研究室預計將於2017年3月底前後設置、最初由總計10名左右的研究人員參加。該研究室力爭將“氮化鎵”這種物質運用在控制電流的新一代半導體功率器件等中。
　　據瞭解，“氮化鎵”是天野研發的獲諾貝爾獎的藍色發光二級管(LED)的材料。該研究室力爭把名古屋大學研製氮化鎵結晶的技術與該機構調查物質性質的技術相結合，加快研發進程。
　　天野是小出在名古屋大學念書時低一屆的學弟。兩人在名城大學終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學?)門下一同進行過研究。